Acquistare STFI34N65M5 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAKFP (TO-281) |
Serie: | MDmesh™ V |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Altri nomi: | 497-13163 |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | STFI34N65M5 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 62.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 650V 28A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
Descrizione: | MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |