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STI12NM50N
- Modello di prodotti:
- STI12NM50N
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12892 Pieces
- Scheda dati:
- STI12NM50N.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per STI12NM50N, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per STI12NM50N via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | MDmesh™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STI12NM50N |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 940pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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