Acquistare STL10N65M2 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±25V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | - |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 23 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | - |
imballaggio: | - |
Contenitore / involucro: | - |
Altri nomi: | 497-15052-1 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TA) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | STL10N65M2 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1480pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 650V 20A (Tc) Surface Mount |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |