STL11N65M2
STL11N65M2
Modello di prodotti:
STL11N65M2
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13043 Pieces
Scheda dati:
STL11N65M2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:-
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:670 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:-
Contenitore / involucro:-
Altri nomi:497-15053-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STL11N65M2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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