STP11NM60ND
STP11NM60ND
Modello di prodotti:
STP11NM60ND
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16987 Pieces
Scheda dati:
STP11NM60ND.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:FDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:450 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-8442-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:STP11NM60ND
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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