STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R-AP
Modello di prodotti:
STQ1HNK60R-AP
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12928 Pieces
Scheda dati:
STQ1HNK60R-AP.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:SuperMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:497-15648-1
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:STQ1HNK60R-AP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:156pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:400mA (Tc)
Email:[email protected]

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