STS5P3LLH6
STS5P3LLH6
Modello di prodotti:
STS5P3LLH6
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14383 Pieces
Scheda dati:
STS5P3LLH6.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:DeepGATE™, STripFET™ H6
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.7W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:497-15484-2
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:STS5P3LLH6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:639pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 5A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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