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STW27N60M2-EP
- Modello di prodotti:
- STW27N60M2-EP
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12919 Pieces
- Scheda dati:
- 1.STW27N60M2-EP.pdf2.STW27N60M2-EP.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | MDmesh™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 163 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 170W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | 497-16490-5 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STW27N60M2-EP |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1320pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per STW27N60M2-EP
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