Acquistare STW3N170 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | PowerMESH™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 13 Ohm @ 1.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 160mW |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | 3-SIP |
Altri nomi: | 497-16332-5 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
codice articolo del costruttore: | STW3N170 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 1700V (1.7kV) 2.6A (Ta) 160mW Through Hole |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
Descrizione: | N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |