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TK10A60W,S4VX
- Modello di prodotti:
- TK10A60W,S4VX
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19292 Pieces
- Scheda dati:
- TK10A60W,S4VX.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7V @ 500µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220SIS |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | TK10A60W,S4VX(M TK10A60WS4VX |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK10A60W,S4VX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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