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TK10J80E,S1E
- Modello di prodotti:
- TK10J80E,S1E
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17229 Pieces
- Scheda dati:
- TK10J80E,S1E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P(N) |
| Serie: | π-MOSVIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | TK10J80E,S1E(S TK10J80ES1E |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK10J80E,S1E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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