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TK12A60U(Q,M)
- Modello di prodotti:
- TK12A60U(Q,M)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19676 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TK12A60U(Q,M).pdf2.TK12A60U(Q,M).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220SIS |
| Serie: | DTMOSII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | TK12A60U(Q) TK12A60U(Q)-ND TK12A60U(QM) TK12A60UQ-ND TK12A60UQM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TK12A60U(Q,M) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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