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TK20N60W,S1VF
- Modello di prodotti:
- TK20N60W,S1VF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19207 Pieces
- Scheda dati:
- TK20N60W,S1VF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 155 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 165W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | TK20N60W,S1VF(S TK20N60WS1VF |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK20N60W,S1VF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1680pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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