TK25A60X5,S5X
TK25A60X5,S5X
Modello di prodotti:
TK25A60X5,S5X
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12600 Pieces
Scheda dati:
TK25A60X5,S5X.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV-H
Rds On (max) a Id, Vgs:140 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:TK25A60X5,S5X(M
TK25A60X5S5X
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK25A60X5,S5X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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