TK25E06K3,S1X(S
Modello di prodotti:
TK25E06K3,S1X(S
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18900 Pieces
Scheda dati:
TK25E06K3,S1X(S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:U-MOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK25E06K3,S1X(S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 25A Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A
Email:[email protected]

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