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TK31V60W5,LVQ
- Modello di prodotti:
- TK31V60W5,LVQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17534 Pieces
- Scheda dati:
- TK31V60W5,LVQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 240W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK31V60W5,LVQ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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