Acquistare TK40P04M1(T6RSS-Q) con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 200µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | DP |
Serie: | U-MOSVI-H |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 47W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | TK40P04M1(T6RSS-Q) |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 40V 40A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP |
Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
Email: | [email protected] |