TK5Q60W,S1VQ
TK5Q60W,S1VQ
Modello di prodotti:
TK5Q60W,S1VQ
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14132 Pieces
Scheda dati:
TK5Q60W,S1VQ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.7V @ 270µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:DTMOSIV
Rds On (max) a Id, Vgs:900 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi:TK5Q60W,S1VQ(S
TK5Q60WS1VQ
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK5Q60W,S1VQ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.4A (Ta)
Email:[email protected]

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