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TK70D06J1(Q)
- Modello di prodotti:
- TK70D06J1(Q)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18835 Pieces
- Scheda dati:
- TK70D06J1(Q).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220(W) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.4 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 45W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TK70D06J1(Q) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5450pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 70A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220(W) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 70A TO220W |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TK70D06J1(Q)
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