TK72E12N1,S1X
TK72E12N1,S1X
Modello di prodotti:
TK72E12N1,S1X
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12352 Pieces
Scheda dati:
TK72E12N1,S1X.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 mOhm @ 36A, 10V
Dissipazione di potenza (max):255W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:TK72E12N1,S1X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8100pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):120V
Descrizione:MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:72A (Ta)
Email:[email protected]

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