TPC6104(TE85L,F,M)
Modello di prodotti:
TPC6104(TE85L,F,M)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17628 Pieces
Scheda dati:
1.TPC6104(TE85L,F,M).pdf2.TPC6104(TE85L,F,M).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VS-6 (2.9x2.8)
Serie:U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPC6104(TE85L,F,M)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1430pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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