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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TPC8026(TE12L,Q,M)
TPC8026(TE12L,Q,M)
Modello di prodotti:
TPC8026(TE12L,Q,M)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14556 Pieces
Scheda dati:
1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPC8026(TE12L,Q,M)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

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