TPC8109(TE12L)
Modello di prodotti:
TPC8109(TE12L)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16072 Pieces
Scheda dati:
1.TPC8109(TE12L).pdf2.TPC8109(TE12L).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:TPC8109DKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPC8109(TE12L)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2260pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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