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TPC8A02-H(TE12L,Q)
- Modello di prodotti:
- TPC8A02-H(TE12L,Q)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19083 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8A02-H(TE12L,Q).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1970pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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