TPCC8065-H,LQ(S
Modello di prodotti:
TPCC8065-H,LQ(S
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18931 Pieces
Scheda dati:
1.TPCC8065-H,LQ(S.pdf2.TPCC8065-H,LQ(S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:11.4 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 18W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPCC8065-H,LQ(S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 13A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

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