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TPCF8201(TE85L,F,M
- Modello di prodotti:
- TPCF8201(TE85L,F,M
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18310 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TPCF8201(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8201(TE85L,F,M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 330mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | TPCF8201(TE85L,F) TPCF8201(TE85LFMTR TPCF8201FTR TPCF8201FTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TPCF8201(TE85L,F,M |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
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