TPH12008NH,L1Q
TPH12008NH,L1Q
Modello di prodotti:
TPH12008NH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 80V 24A SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17093 Pieces
Scheda dati:
TPH12008NH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 300µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:12.3 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 48W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NHL1Q
TPH12008NHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:TPH12008NH,L1Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N CH 80V 24A SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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