Acquistare TPH2R506PL,L1Q con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 500µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie: | U-MOSIX-H |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 134W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
Altri nomi: | TPH2R506PL,L1Q(M TPH2R506PLL1Q TPH2R506PLL1QTR |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore: | TPH2R506PL,L1Q |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5435pF @ 30V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 60V 100A 134W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A |
Email: | [email protected] |