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TPN11003NL,LQ
- Modello di prodotti:
- TPN11003NL,LQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15953 Pieces
- Scheda dati:
- TPN11003NL,LQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | TPN11003NL,LQ(S TPN11003NLLQTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPN11003NL,LQ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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