TPN14006NH,L1Q
TPN14006NH,L1Q
Modello di prodotti:
TPN14006NH,L1Q
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12649 Pieces
Scheda dati:
TPN14006NH,L1Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 30W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:TPN14006NH,L1Q(M
TPN14006NHL1Q
TPN14006NHL1QTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:TPN14006NH,L1Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 13A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

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