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TRS8E65C,S1Q
- Modello di prodotti:
- TRS8E65C,S1Q
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18953 Pieces
- Scheda dati:
- TRS8E65C,S1Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.7V @ 8A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 650V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-2L |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-2 |
| Altri nomi: | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 175°C (Max) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TRS8E65C,S1Q |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 90µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 8A (DC) |
| Capacità a Vr, F: | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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