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UMH6NTR
- Modello di prodotti:
- UMH6NTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12228 Pieces
- Scheda dati:
- UMH6NTR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | UMH6NTR |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per UMH6NTR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NSBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Inchiesta |
 |
RN2902,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | Inchiesta |
 |
PEMH30,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | Inchiesta |
 |
DMA264010R | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 | Inchiesta |
 |
PUMB14,115 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Inchiesta |
 |
EMG4T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 | Inchiesta |
 |
IMD9AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Inchiesta |
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