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UMH9NTN
- Modello di prodotti:
- UMH9NTN
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18980 Pieces
- Scheda dati:
- UMH9NTN.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per UMH9NTN, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per UMH9NTN via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | UMH9NTNTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | UMH9NTN |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per UMH9NTN
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RN1706JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV | Inchiesta |
 |
MUN5216DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
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