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UNR511DG0L
- Modello di prodotti:
- UNR511DG0L
- fabbricante:
- Panasonic
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19040 Pieces
- Scheda dati:
- UNR511DG0L.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMini3-F2 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-85 |
| Altri nomi: | UNR511DG0LTR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | UNR511DG0L |
| Frequenza - transizione: | 80MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per UNR511DG0L
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