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UP04878G0L
- Modello di prodotti:
- UP04878G0L
- fabbricante:
- Panasonic
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19838 Pieces
- Scheda dati:
- UP04878G0L.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SSMini6-F2 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potenza - Max: | 125mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | UP04878G0LTR |
| temperatura di esercizio: | 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | UP04878G0L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 12pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per UP04878G0L
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM110-015X2F | IXYS | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC | Inchiesta |
 |
SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | Inchiesta |
 |
UP0487800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P | Inchiesta |
 |
FDMQ86530L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5 | Inchiesta |
 |
19MT050XF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP | Inchiesta |
|
UP0487C00L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 | Inchiesta |
 |
ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC | Inchiesta |
 |
ZXMP6A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SI4933DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | Inchiesta |
 |
EFC6611R-A-TF | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP | Inchiesta |
|
SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC | Inchiesta |
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