UPA2690T1R-E2-AX
Modello di prodotti:
UPA2690T1R-E2-AX
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12581 Pieces
Scheda dati:
UPA2690T1R-E2-AX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:6-HUSON (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:42 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:2.3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WFDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:UPA2690T1R-E2-AX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 4A, 3A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A, 3A
Email:[email protected]

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