UPA2825T1S-E2-AT
Modello di prodotti:
UPA2825T1S-E2-AT
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19114 Pieces
Scheda dati:
UPA2825T1S-E2-AT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.6 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:UPA2825T1S-E2-AT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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