Acquistare US6K1TR con BYCHPS
Acquista con garanzia
US6K1TR
- Modello di prodotti:
- US6K1TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15916 Pieces
- Scheda dati:
- US6K1TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per US6K1TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per US6K1TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TUMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | US6K1TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 80pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per US6K1TR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8910GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SI5933CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 | Inchiesta |
 |
ZXMN2AMCTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN | Inchiesta |
 |
SI3993DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
ALD110800SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | Inchiesta |
 |
SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
AO3415B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
AO4616 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IRFI4019HG-117P | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP | Inchiesta |
|
FDS4559 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO | Inchiesta |
 |
FDMS3602S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers