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US6M1TR
- Modello di prodotti:
- US6M1TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15367 Pieces
- Scheda dati:
- US6M1TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per US6M1TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per US6M1TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TUMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 240 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | US6M1TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 70pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V, 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A, 1A |
| Email: | [email protected] |
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