Acquistare VN0106N3-G con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 1W (Tc) |
imballaggio: | Bulk |
Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
codice articolo del costruttore: | VN0106N3-G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 65pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 60V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Tj) |
Email: | [email protected] |