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VP0808B-E3
- Modello di prodotti:
- VP0808B-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17527 Pieces
- Scheda dati:
- VP0808B-E3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per VP0808B-E3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per VP0808B-E3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | VP0808B-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 80V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 880mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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