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VRF191MP
- Modello di prodotti:
- VRF191MP
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET RF N-CH 100V 150W T11
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19255 Pieces
- Scheda dati:
- VRF191MP.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | - |
| Tipo transistor: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | - |
| Contenitore / involucro: | - |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | VRF191MP |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | - |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet |
| Descrizione: | MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VRF191MP
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA041501FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | Inchiesta |
 |
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
 |
2N5486RLRPG | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | Inchiesta |
 |
MRF8P29300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 | Inchiesta |
 |
VRF191 | Microsemi Corporation | MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 | Inchiesta |
 |
SHF-0289 | RFMD | FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 | Inchiesta |
 |
BLF882SU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B | Inchiesta |
 |
ON5262,127 | NXP USA Inc. | MOSFET RF TO220AB TO220AB | Inchiesta |
 |
BLF647,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | Inchiesta |
 |
MRF6S18060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | Inchiesta |
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