VS-GB75LP120N
Modello di prodotti:
VS-GB75LP120N
fabbricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descrizione:
IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16376 Pieces
Scheda dati:
VS-GB75LP120N.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.82V @ 15V, 75A (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore:INT-A-PAK
Serie:-
Potenza - Max:658W
Contenitore / involucro:INT-A-PAK (3 + 4)
Altri nomi:VSGB75LP120N
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:VS-GB75LP120N
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:5.52nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione espansione:IGBT Module Single 1200V 170A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
Descrizione:IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):170A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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