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VS-GT100TP120N
- Modello di prodotti:
- VS-GT100TP120N
- fabbricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrizione:
- IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19846 Pieces
- Scheda dati:
- VS-GT100TP120N.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.35V @ 15V, 100A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | INT-A-PAK |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 652W |
| Contenitore / involucro: | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Altri nomi: | VSGT100TP120N |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | VS-GT100TP120N |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 12.8nF @ 30V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench |
| Descrizione espansione: | IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK |
| Descrizione: | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 5mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 180A |
| Configurazione: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VS-GT100TP120N
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