Acquistare VT6M1T2CR con BYCHPS
Acquista con garanzia
VT6M1T2CR
- Modello di prodotti:
- VT6M1T2CR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12829 Pieces
- Scheda dati:
- VT6M1T2CR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per VT6M1T2CR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per VT6M1T2CR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | VMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 120mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | VT6M1T2CRTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | VT6M1T2CR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per VT6M1T2CR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Inchiesta |
 |
DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | Inchiesta |
 |
AO4818B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
|
SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Inchiesta |
 |
STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC | Inchiesta |
 |
TT8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | Inchiesta |
 |
DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | Inchiesta |
 |
APTC60DSKM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers