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W947D2HBJX5E TR
- Modello di prodotti:
- W947D2HBJX5E TR
- fabbricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrizione:
- IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13466 Pieces
- Scheda dati:
- W947D2HBJX5E TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 90-VFBGA (8x13) |
| Velocità: | 200MHz |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 90-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 128Mb (4M x 32) |
| Formato di memoria: | DRAM |
| codice articolo del costruttore: | W947D2HBJX5E TR |
| Interfaccia: | Parallel |
| Descrizione: | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per W947D2HBJX5E TR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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W947D6HBHX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | Inchiesta |
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W947D2HBJX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | Inchiesta |
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S25FL132K0XMFB043 | Cypress Semiconductor Corp | IC FLASH 32MBIT 108MHZ 8SOIC | Inchiesta |
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W947D2HBJX5I | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | Inchiesta |
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W947D6HBHX5I TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60TFBGA | Inchiesta |
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W947D2HBJX6E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | Inchiesta |
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W947D2HBJX5E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA | Inchiesta |
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W947D2HBJX6E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA | Inchiesta |
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W947D6HBHX6E TR | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60TFBGA | Inchiesta |
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W947D6HBHX6E | Winbond Electronics | IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60TFBGA | Inchiesta |
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IS64WV51216BLL-10MA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA | Inchiesta |
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