ZXMC3A18DN8TA
ZXMC3A18DN8TA
Modello di prodotti:
ZXMC3A18DN8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16265 Pieces
Scheda dati:
ZXMC3A18DN8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 5.8A, 10V
Potenza - Max:1.8W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMC3A18DN8TA-ND
ZXMC3A18DN8TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ZXMC3A18DN8TA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A, 4.8A
Email:[email protected]

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