ZXMN3G32DN8TA
ZXMN3G32DN8TA
Modello di prodotti:
ZXMN3G32DN8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15799 Pieces
Scheda dati:
ZXMN3G32DN8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:28 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max:1.8W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMN3G32DN8DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:ZXMN3G32DN8TA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:472pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

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