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10ETF12S
- Modello di prodotti:
- 10ETF12S
- fabbricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18686 Pieces
- Scheda dati:
- 10ETF12S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 10ETF12S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 10ETF12S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.33V @ 10A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 310ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | *10ETF12S VS-10ETF12S VS-10ETF12S-ND VS10ETF12S VS10ETF12S-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 10ETF12S |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 10ETF12S
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