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10ETF12
- Modello di prodotti:
- 10ETF12
- fabbricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12162 Pieces
- Scheda dati:
- 1.10ETF12.pdf2.10ETF12.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 10ETF12, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 10ETF12 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.33V @ 10A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AC |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 310ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-2 |
| Altri nomi: | *10ETF12 VS-10ETF12 VS-10ETF12-ND VS10ETF12 VS10ETF12-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 10ETF12 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220AC |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 10ETF12
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